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信息技术
NAND闪存是非易失性存储器,具有多个浮栅或电荷捕获晶体管。数个晶体管连接,二进制值由位线和字线控制。NAND闪存已经从2D结构迁移到3D结构,以满足高比特密度的要求。NAND闪存每个单元可以有几个比特,这增加了更大的密度,但在续航和/或性能方面存在缺点:
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